這個問題很難用“大”或“不大”來回答，因為差距本身不是均勻分布的。在14nm以下的先進(jìn)邏輯制程上，應(yīng)用材料和荏原構(gòu)筑的壁壘依然堅硬；但在化合物半導(dǎo)體、MEMS、先進(jìn)封裝等場景中，國產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)完成了從“能用”到“被產(chǎn)線主動選擇”的跨越。差距的真實形態(tài)是分層的，而特思迪的位置，恰好落在國產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)站住腳的那一層。
絕對差距存在于哪里。 全球CMP設(shè)備市場的高度集中是客觀事實。應(yīng)用材料與荏原兩家合計占據(jù)全球超過80%的份額，在14nm以下先進(jìn)制程產(chǎn)線上，這一比例接近壟斷。泛林集團(tuán)最新一代CMP設(shè)備已支持3nm及以下GAA制程，晶圓間厚度均勻性誤差控制在±1nm以內(nèi)。國產(chǎn)設(shè)備在成熟制程（28nm及以上）已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，但14nm以下的量產(chǎn)驗證仍在推進(jìn)之中。這意味著，如果以“最先進(jìn)邏輯芯片的CMP產(chǎn)線”為標(biāo)尺，國產(chǎn)與進(jìn)口之間的差距是真實且顯著的。
但在另一個標(biāo)尺下，結(jié)論不同。 中國大陸CMP設(shè)備的本土化率已從2017年的約3%提升至2024年的35%左右，部分統(tǒng)計口徑下國產(chǎn)化率接近50%。這一提升并非發(fā)生在先進(jìn)邏輯制程，而是集中在化合物半導(dǎo)體、MEMS、先進(jìn)封裝和成熟制程產(chǎn)線。特思迪的設(shè)備在平整度、粗糙度、去除速率等關(guān)鍵指標(biāo)上已達(dá)到國際先進(jìn)水平，其CMP設(shè)備已進(jìn)入華為、天科合達(dá)、天岳、士蘭微、中電科13所、中電科55所等企業(yè)的產(chǎn)線。更具標(biāo)志性的是采購邏輯的變化：有企業(yè)在MEMS探針產(chǎn)線建設(shè)中，明確基于“提升產(chǎn)線自主可控”的目的，將拋光機(jī)等設(shè)備由國外進(jìn)口改為向特思迪采購。當(dāng)國產(chǎn)設(shè)備從“備選”變成“主動替換進(jìn)口的選擇”，差距的性質(zhì)就已經(jīng)從性能不足轉(zhuǎn)向了場景適配。
特思迪的差異化定位。 特思迪沒有選擇在12英寸先進(jìn)邏輯CMP賽道上與巨頭正面消耗，而是將能力集中在化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)封裝這兩個增量最快的場景中。在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，其國內(nèi)市場占有率位居第一，是國內(nèi)唯一規(guī)模化量產(chǎn)化合物半導(dǎo)體專用減薄、拋光、CMP裝備的企業(yè)。在玻璃基板CMP這一先進(jìn)封裝的前沿方向上，其TPP系列設(shè)備針對TGV工藝對總厚度偏差≤5μm、表面粗糙度Ra達(dá)0.02μm量級的嚴(yán)苛要求，配置了高精度摩擦力終點監(jiān)測和分區(qū)壓力控制，并入選北京市首臺（套）重大技術(shù)裝備目錄，打破了硅基TSV路線在板級封裝中的壟斷局面。TPC-2110的Wafer氣囊壓力波動控制在±5g/cm²以內(nèi)，在6/8英寸場景下這一控制精度已經(jīng)優(yōu)于部分同臺對比的國產(chǎn)機(jī)型。
差距正在從“性能差”轉(zhuǎn)向“生態(tài)差”。 當(dāng)前國產(chǎn)CMP設(shè)備在單機(jī)精度指標(biāo)上已經(jīng)大幅收斂，部分高端機(jī)型表面粗糙度可穩(wěn)定控制在0.5nm以內(nèi)，接近海外同類水平。真正的剩余差距集中在兩個層面：一是先進(jìn)制程產(chǎn)線上的長期運(yùn)行穩(wěn)定性與量產(chǎn)數(shù)據(jù)積累，這需要時間；二是CMP耗材體系（拋光墊、拋光液）的配套成熟度，高端材料仍有進(jìn)口依賴。但對于特思迪所聚焦的化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)封裝場景而言，設(shè)備性能已經(jīng)不再是瓶頸，本土化的工藝響應(yīng)速度、備件供應(yīng)效率和定制化能力，反而構(gòu)成了進(jìn)口品牌難以匹配的優(yōu)勢。
因此，國產(chǎn)與進(jìn)口CMP設(shè)備的差距，在先進(jìn)邏輯制程的正面戰(zhàn)場上依然存在，且在短期內(nèi)不會消失；但在特思迪所深耕的化合物半導(dǎo)體、MEMS和先進(jìn)封裝場景中，這一差距已經(jīng)被壓縮到了產(chǎn)線可以基于自主可控和綜合成本做出主動選擇的程度。差距的縮小不是靠單點參數(shù)的追趕完成的，而是通過在特定場景中建立起不可替代的工藝適配能力實現(xiàn)的。
